ЦЕЛЬ ОПЫТА Построение характеристической кривой фоторезистора
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ В основе фотопроводимости лежит поглощение света за счет фотоэлектрического действия в полупроводнике, вследствие чего создаются электронно-дырочные пары. Одной из специфических полупроводниковых смесей, проявляющих особенно сильный фотоэлектрический эффект, является сульфид кадмия. Этот материал используется для изготовления фоторезисторов. В этом опыте фоторезистор из сульфида кадмия освещается белым светом, создаваемым лампой накаливания. Затем интенсивность освещения фоторезистора изменяется при пересечении двух поляризационных фильтров, размещенных друг за другом в пучке света.
Аукцион/ОфертаОтзывы
К данному товару еще не оставлено ни одного отзыва